Referencia respecto a qué es "side-wall" en este contexto:
"A novel side-wall transfer-transistor cell (SWATT cell) for multi-level NAND EEPROMs
Publisher: IEEE"
...
"The key technology that allows this wide Vth is the Transfer Transistor which is located at the side wall of the Shallow Trench Isolation (STI) region and is connected in parallel with the floating gate transistor."
https://ieeexplore.ieee.org/document/499195

SWATT es el acrónimo de "Side-WAll Transfer-Transistor"

"wall" y "trench" se utilizan para describir formas de construir los circuitos integrados sobre la placa de silicio, por analogía con sus significados en arquitectura normal. Pueden verse imágenes en la pestaña Imágenes de esta búsqueda:
https://www.google.com/search?q="integrated circuit" "trench...

En esta imagen se puede ver que la "side wall" es del aislante (la base de silicio), y la conexión se hace sobre ella (por este motivo utilizo la palabra "sobre" en la traducción propuesta).

No he encontrado material en español relacionado con chips SWATT, por ser temas muy especializados.


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Note added at 15 horas (2022-03-10 11:51:17 GMT)
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Releyendo el material, creo que conviene poner "transistor" en singular:
Celda de transistor con/de transferencia sobre pared/muro lateral (celda SWATT)

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Note added at 15 horas (2022-03-10 11:53:04 GMT)
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Esta es la imagen a la que hago referencia más arriba:
https://images.app.goo.gl/3s9j4BUHLtiMXP4H9