3-D Tri-Gate transistor

08:12 Aug 11, 2013 

большое спасибо вам всем!

07:51 Aug 11, 2013 

тогда надо оставлять как есть. Это как "Кока-Кола", которую нельзя ни называть как-то по другому, ни даже склонять: "Утоли свою жажду - выпей Кока-Кола",
не говоря уж о невозможности упоминания про Пепси ;)

07:39 Aug 11, 2013 

строго говоря, это годовой отчет для акционеров и комиссии по ценным бумагам. Технического там мало (иначе я бы вообще не взялась бы переводить). В основном всякое бла-бла-бла про то, что мы самые клевые и финансовые результаты.

07:35 Aug 11, 2013 

Может и стоит сохранить эту "пузомерку" в первозданном виде. Все зависит от типа документа. Если это рекламно-маркетинговый буклет, то пусть себе... Но в техническом обзоре, к примеру, я бы писал как-то так: технология тройного объемного затвора Intel (3D Tri-Gate). В скобочках-с...

07:31 Aug 11, 2013 

текст написан "под Intel" (еще одно подтверждение - упоминание 22-нм процесса). Словечко "Tri-Gate" придумали в Intel и суют его куда не попадя, так что лучше сохранять его "как есть" и не переводить.

07:26 Aug 11, 2013 

Кстати, забыла сказать. Там по всему тексту часто встречается Tri-Gate. И местами упоминается именно как технология

07:23 Aug 11, 2013 

"лучшие" и "самые" - это обычный маркетинговый треп. А вот "первые в мире" - это уже факт. Например, "лучший в мире космонавт" - это бла-бла-бла. А "первый в мире космонавт" - это уж про кого попало не скажешь.

Расстраивают меня такие вот тексты!

07:13 Aug 11, 2013 

А чем "трехмерный" отличается от "объемный" в Вашем понимании?

07:10 Aug 11, 2013 

Присоединюсь: не трехмерный, а объемный затвор. Игорь, не стоит слепо калькировать 3D – они его суют куда ни попадя, таков уж язык.

06:42 Aug 11, 2013 

(как всегда) = лучшие в мире, самые передовые

21:22 Aug 10, 2013 

Раз такие транзисторы давно изобрели, то к чему они пишут "world’s first"? В каком это смысле world’s first-то?

10:13 Aug 9, 2013 

Если бы было написано Tri-Gate(TM), или Tri-Gate(C), не было бы вопросов. А так технология трехзатворного транзистора придумана давным-давно, и не Intel, а трудно сказать кем (например, японцы очень давно об этом писали и, наверное, как-то тоже между собой ее называют, а российские разработчики тоже называют ее по-своему: ТРИЗ). Tri-Gate - это просто Intel'овский вариант (кстати, пока еще не реализованный).

Что качается трех-в-одном или одного трехкомпонентного, то тут дело вкуса, но по логике, они даже формируются на разных стадиях технологического процесса. Если процесс остановить в какой-то момент, то останется один (или два) затвора. По-моему, для такого дела больше подходит "трехзатворный транзистор", чем "тройной затвор".

А уж оставлять 3D при переводе - это совсем незачем (я бы даже сказал, проявлять дурной вкус)

09:26 Aug 9, 2013 

Если затворы внутри соединены и имеется только один "внешний" вывод (т.е. управлять ими раздельно нельзя), то у транзистор один затвор с точки зрения схемотехники. А что там внутри - это дело технологов.
Впрочем, название технологии все равно не переводится

09:12 Aug 9, 2013 

Трехмерную структуру имеет не затвор, а сам транзистор: три канала и три затвора (раздельных, разных затвора в разных каналах транзистора и слоях кремниевой пластины, хотя и электрически соединенных).

Короче, я еще раз подтверждаю свой вариант:
"трехзатворный транзистор с объемной структурой"

Засим разрешите откланяться

09:02 Aug 9, 2013 

Все верно: затвор имеет трехмерную (не планарную) структуру, как я и писал. И компания Intel, по сути, не изобрела ничего нового, но раз ее маркетологи "навесили" технологию Tri-Gate, то уж, будьте добры, соблюдайте "правила игры": упоминайте Tri-Gate как технологию (как и технологию Hyperthreading и иже с ними).

08:53 Aug 9, 2013 

Суть истории заключается в переходе от традиционной планарной технологии полевых транзисторов в производстве микросхем к многослойной, транзистор делается трехслойным (с тремя каналами и затворами), но с одним общим истоком и стоком. Структура получается не планарной, а "объемной", которую обозвали гламурным модным словом 3D. Преимущества таких сложных транзисторов заключается в снижении тока утечки через затвор, который при огромном количестве транзисторов приводит к существенному вкладу в паразитный разогрев микросхем. См. дополнение в моем ответе.
Эти технологии развиваются еще с конца 90-х годов.

А все эти Tri-Gate и 3D - это гламурные придумки маркетологов.

PS: Не обижайтесь, сами знаете, что я вас уважаю.

08:27 Aug 9, 2013 

Затвор все равно остается одним (хотя и состоящим их трех частей). Если считаете, что это не так, приведите ссылку в "серьезной" (как вы говорите) публикации.

08:18 Aug 9, 2013 

Речь идет именно от о трехзатворных транзисторах. Погугльте этот термин и вы все найдете в серьезных публикациях, а не в "околонанистской" публицистике (да еще и переводной). Все, что связано с нанотехнологиями, в журналистском изложении обрастает каким-то невероятным мутным мохом

08:12 Aug 9, 2013 

(А то места не хватает.) Я не понимаю, как можно говорить, что транзистор"трехзатворный", если затвор у него все равно остается ОДИН. Ну, можно, сказать "тройной затвор", как http://www.ixbt.com/news/hard/index.shtml?01/18/69, но никак не "трехзатворный транзистор".